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在現代工業中，表麵加工是至關重要的一環。為了達到所需的表麵粗糙度、光潔度和平整度等要求，往往需要進行拋光處理。

CMP（Chemical Mechanical Polishing）是一種目前非常流行的拋光工藝，它可以在短時間內實現高質量的表麵加工。

而CMP拋光墊則是CMP拋光過程中的重要材料之一，它的性能直接影響著CMP的拋光效果。

一、CMP拋光墊的成分

拋光墊是圓盤形的，最常見的是由硬質多孔聚氨酯泡沫製成，並帶有狹窄的高縱橫比凹槽圖案。

聚氨酯的多孔結構可以在拋光過程中緩衝拋光液和磨料顆粒的壓力，防止過度磨損。

這些微孔能起到收集加工去除物、傳送拋光液以及保證化學腐蝕等作用，有利於提高拋光均勻性和拋光效率， 孔尺寸越大其運輸能力越強。

二、CMP拋光墊的用途

CMP拋光墊主要用於矽片、金屬、陶瓷等材料的平坦化拋光。由於CMP拋光墊的多孔結構和軟性磨料材料，可以適應不同矽片材料的表麵結構，達到不同表麵加工的需求。

在微電子、半導體、光電等領域中，CMP拋光墊的使用越來越廣泛，尤其是在製造高性能晶體管、集成電路和MEMS等微納米器件中，CMP拋光墊的質量和性能至關重要。

在CMP製程中，拋光墊的主要作用有：

1、使拋光液有效均勻分布至整個加工區域，且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環；

2、從工件拋光表麵除去拋光過程產生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；

3、傳遞材料去除所需的機械載荷；

4、維持拋光過程所需的機械和化學環境。除拋光墊的力學性能以外，其表麵組織特征，如微孔形狀、孔隙率、溝槽形狀等，可通過影響拋光液流動和分布，來決定拋光效率和平坦性指標。

所以CMP拋光墊多為帶凹槽的圓盤形硬質多孔聚氨酯泡沫（聚氨酯彈性耐磨性好，多孔結構可緩衝、傳液等，孔大則運輸強）；

主要用於矽片等材料平坦化拋光（適配性強，廣用微電子等領域及微納米器件製造）；

在CMP製程中能實現拋光液循環、清殘留、傳載荷、維環境，表麵組織特征也影響拋光效率與平坦性。